关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子

关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子 关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题 什么是PN结的偏置?正向偏置?反向偏置? 关于多子和少子!在,PN结中,为什么多子与温度关系小,而少子与温度有很大关系呢? 关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题对于三极管来说 ,如果发射结正向偏置,集电结反向偏置的话,三极管就具有放大特性!但是如果发射结正向偏置,集电结也正向偏置呢?那又是一种 PN结中,什么叫多子和少子 pn结正向偏置时为啥空间电荷区会变窄 1,光电二极管工作时需加__________偏置电压.2,PN结在正向时导通,反向时截止,这种特性称为_________. 关于半导体PN结正向偏置时,电场与内电场相反,扩散运动增大应该会导致PN结增大,怎么会是减小呢 当PN结正向偏置和反向偏置时,载流子怎样运动? 判断题：PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大. 关于三极管的导通问题.在三极管的放大电路中,是不是一定要把基极跟发射极（既BE的PN结）必须正向偏置是么?如果想导通三极管的话是不是只有在Vbe大于0.7V的情况下才导通,导通后Vbe的电压 关于FET工作原理简答题.简答题：JFET 栅极与沟通间PN结在一般作为放大器件工作时,能正向偏置吗?耗尽型MOS 管呢?为什么?知道结论,但不知该怎样陈述. 何谓PN结的正向偏置和反向偏置?何谓PN结的单向导电性?我写卷子, 关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个 外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况：PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散 判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件（） 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体（）3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大（）4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小 PN结的单向导电性是指：当PN结正向偏置时,电阻（）,处于（）状态；当PN结反向偏置时,电阻（）,处于...PN结的单向导电性是指：当PN结正向偏置时,电阻（）,处于（）状态；当PN结反向偏置时,