半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/01 07:40:19

半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?
半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?

半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?
导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二：
（1）禁带宽度与温度有关（一般,随着温度的升高而变窄）；
（2）少数载流子浓度与温度有关（随着温度的升高而指数式增加）.
注：多数载流子浓度基本上等于掺杂浓度,在室温、全电离情况下,多数载流子浓度与温度也基本上无关；只有在低温下才有较大的关系.因此,半导体性能在低温下的不稳定性还与多数载流子浓度的变化有关.

多子
因为扩散与温度有关，半导体内是多子扩散，少子漂移

半导体禁带宽度小，受热后外层成键电子容易跃迁到激发态，半导体内部产生很多电子空穴对，成为参与导电的载流子，导电性能就提高了。所以温度稳定性差。
如果只考虑导电性，当然是多子起主要作用。

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