电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 07:05:48
电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(     )   A 电子     B 空穴     C 三价硼元素     D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于(      )

电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
电路选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( )的.
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题,只有一个答案的

电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N:negative(负)的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( B )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue

1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(A,D)
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反...

全部展开

1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(A,D)
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( 哪三个电极的对应?——题意不明确 )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( C )的。
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入(B,C)物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
如果想要详细了解某些概念,请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

收起

电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( ) 1. 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 1.半导体的三大特性是光敏性_和_.N型半导体的形成是在本在半导体中掺入_价元素. 在本征半导体中加入什么元素可行成N刑半导体 下列半导体材料热敏特性突出的是 A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体为什么? 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E 模拟电子题目请教一、 填空1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.2、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 5 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为 ,少数 在本征半导体中掺入微量的___价磷元素组成的半导体是___型 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?在本征半导体中每产生一个电了必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴是成对出现的,但在本征半导体硅或锗的晶体管中掺入微量三价元素硼(或镓 电工电子技术填空题,谁帮做下1.PN结的基本特性是( )特性.2.半导体中有( )和( )两种载流子,在本征半导体中掺着( )阶元素,可形成P型半导体.3.差分放大电路的基本功能是( ).4 在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体.A.五价B.四价C.三价 怎么把本证半导体变成N型半导体 本征半导体,P型半导体,N型半导体能独立导电吗?导电性能有什么区别 N型杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素,该元素的价数为( ) A.2价 B.3价 C.4价 D.5价 制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂? 本征半导体如何改变为N形半导体及P形半导体 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求